IRF830 Lignende

  • IRF830
    • 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated
  • IRF840
    • 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated

IRF830 Datasheet og Spec

Produsent : Philips 

Emballasje : SOT 

Pins : 3 

Temperatur : Min -55 °C | Max 150 °C

Størrelse : 63 KB

Applikasjon : 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated 

IRF830 PDF Last ned